时间：2025/8/6 17:20:44
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TBH25P15R0JE是一款功率MOSFET晶体管，属于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的一种，适用于高功率和高频率的应用。该器件通常采用TO-247封装，具备良好的热性能和电流承载能力。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：约0.15Ω（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
TBH25P15R0JE具有低导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。其高耐压特性使其适用于多种高电压应用场景。
该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，并具有较快的开关速度，适用于高频开关应用。
此外，该器件具备良好的抗过载和短路能力，增强了系统的稳定性和可靠性。其TO-247封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
由于其P沟道结构，该MOSFET在关断状态下具有自然的高侧开关能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理等多种拓扑结构。
TBH25P15R0JE广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、工业自动化设备以及汽车电子系统等领域。
在开关电源中，该MOSFET可作为高侧开关使用，适用于同步整流和负载开关等拓扑。
在电机控制电路中，可用于H桥驱动，实现电机的正反转控制。
在电池管理系统中，可作为充放电控制开关，实现高效的能量管理。
此外，该器件也适用于UPS（不间断电源）、逆变器、LED驱动电源等高功率应用场合。
IRF9Z34N, FDP15N40, STP16PF06
