型号：TB085RP
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：30 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5 V ~ 2.2 V
　　输入电容（Ciss）：4600 pF
　　输出电容（Coss）：1200 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　最大栅源电压（VGS max）：+6 V / -4 V
　　功耗（PD）：150 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：LGA（Land Grid Array）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

TB085RP的核心特性之一是其采用的增强型氮化镓（eGaN）技术，这种技术使得器件在保持低导通电阻的同时实现了极快的开关速度，从而大幅降低开关损耗，提高系统整体效率。与传统的硅基MOSFET相比，TB085RP在相同尺寸下可提供更高的电流密度和更低的能量损耗，尤其在高频工作条件下表现更为突出。该器件的反向恢复电荷为零，意味着在桥式拓扑或同步整流应用中不会产生由体二极管反向恢复引起的额外损耗，极大提升了系统的可靠性和效率。
　　另一个关键特性是其出色的热性能和紧凑的LGA封装设计。LGA封装不仅减小了器件的整体体积，还有助于降低封装内的寄生电感，从而减少电压过冲和电磁干扰（EMI），这对于高频开关电路至关重要。同时，该封装具有良好的热传导路径，能够有效将热量从芯片传递到PCB，提升散热能力，延长器件寿命。TB085RP支持高达30A的连续漏极电流和120A的脉冲电流，适用于需要高瞬态响应能力的应用场景。
　　该器件的工作结温可达+150°C，具备良好的高温稳定性，能够在恶劣的环境温度下稳定运行。其栅极驱动电压范围适中（通常推荐使用+5V逻辑驱动），兼容主流的控制器和驱动IC，简化了驱动电路设计。此外，由于氮化镓材料本身具有更高的电子迁移率，TB085RP在高频下仍能保持较低的交流损耗，适用于MHz级别的开关电源设计。综合来看，TB085RP凭借其高性能、高可靠性及小型化优势，成为现代高效电源系统中的理想选择。

TB085RP广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。典型应用包括高频DC-DC变换器，特别是在服务器电源、通信基站和数据中心电源模块中，用于实现高功率密度和高能效的中间母线转换（Intermediate Bus Conversion）。在这些场景中，TB085RP的低导通电阻和快速开关能力可以显著降低传导和开关损耗，提升整体系统效率。
　　此外，该器件也适用于无线充电发射端电路，尤其是在多设备无线充电板和高功率无线充电系统中，其快速响应和低损耗特性有助于提高能量传输效率并减少发热。在激光驱动和脉冲功率系统中，TB085RP能够承受高脉冲电流（最高达120A），适用于短时大电流放电应用，如LiDAR、医疗设备和工业传感器等。
　　在光伏逆变器和储能系统中，TB085RP可用于高频逆变环节，帮助缩小磁性元件体积，提升系统功率密度。同时，在电动交通工具（如无人机、电动滑板车）的车载电源管理单元中，该器件的小型化和高效特性也极具优势。此外，TB085RP还可用于高端消费类电子产品中的快充适配器，尤其是在GaN快充头中作为主开关管使用，支持USB PD协议下的高功率输出（如65W、100W及以上），实现“小体积、大功率”的设计理念。

GS-065-011-1-L