类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：0.27Ω
　　耗散功率(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

TB-206 MOSFET具备多项优异的电气和热性能特性。其最大漏源电压可达600V，使其适用于高压开关应用，如电源转换器和逆变器。器件的导通电阻较低，通常在0.27Ω左右，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，TB-206的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，提高了控制灵活性。
　　在热管理方面，TB-206采用高导热封装材料，具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能维持稳定工作温度。其最大耗散功率为125W，适应多种高功率应用场景。同时，该器件具有较高的短路耐受能力，增强了在突发工况下的可靠性。
　　由于其快速开关特性，TB-206在高频应用中表现出色，可应用于DC-DC转换器、电机控制电路和电源管理系统。此外，该器件的封装形式（如TO-220）便于安装和散热管理，适用于工业控制、自动化设备及消费类电子产品中的功率控制模块。

TB-206 主要应用于需要高压、高电流和高可靠性的电路系统中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、直流电机控制、逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）、LED驱动电路以及工业自动化控制系统。在这些应用中，TB-206可作为主开关元件，用于高效控制电流流向和功率输出。
　　此外，TB-206也广泛用于功率因数校正（PFC）电路中，以提高电源的效率并减少电网污染。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中，该器件也常用于主功率转换电路。由于其良好的热稳定性和抗过载能力，TB-206同样适用于需要长时间连续运行的工业设备，如自动化生产线中的伺服驱动器和变频器。

TK2106, IRF840, FDPF16N60, STP16N60