2SK3728 时间：2025/8/9 10:29:54 阅读：22

2SK3728 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于如DC-DC转换器、电池管理系统、电源开关等高性能电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大漏极电流（ID）：100A（在VGS=10V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大6.5mΩ（在VGS=10V时）
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

2SK3728 具有多个显著的技术特性和优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，从而提高电源转换效率，这对于高功率密度设计尤为重要。
　　其次，该MOSFET采用沟槽式工艺，使芯片结构更紧凑，同时提升了电流密度和热稳定性，能够在高电流负载下保持良好的性能。
　　此外，2SK3728 提供较高的栅极驱动兼容性，支持常见的10V至12V驱动电压，适用于多种PWM控制器和驱动IC。
　　该器件还具备良好的热性能，采用TO-220AB封装，具备良好的散热能力，适用于高功率应用场景。其高雪崩能量耐受能力也增强了器件在高电压冲击环境下的可靠性。
　　最后，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，从而进一步提升了高频开关电源（如DC-DC转换器、同步整流器等）的效率。

应用

2SK3728 广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中。主要应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车辆的电源模块、电源开关和负载控制电路。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要大电流负载切换的工业电源和电源管理模块。
　　此外，2SK3728 还适用于需要快速开关和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、电机控制器和能量回收系统。
　　在消费类电子产品中，它也可用于高性能电源适配器、LED照明驱动器和智能电源插座等应用。