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TA7BP2F06 发布时间 时间:2025/8/24 21:07:25 查看 阅读:5

TA7BP2F06 是东芝(Toshiba)公司推出的一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器IC,主要用于驱动N沟道MOSFET,适用于各种高边(high-side)和低边(low-side)功率开关应用。该器件采用双列直插式封装(DIP)或表面贴装封装(SOP),具备较强的驱动能力和良好的抗噪性能,广泛应用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域。

参数

类型:MOSFET驱动器
  工作电压范围:10V~30V
  输出电流能力:典型值1.5A(源电流)/2A(灌电流)
  输入逻辑电平兼容:3.3V/5V/15V
  工作温度范围:-40°C~+85°C
  封装类型:DIP-8 / SOP-8
  驱动方式:高边/低边双通道驱动
  最大开关频率:可达500kHz
  导通延迟时间:约150ns
  关断延迟时间:约90ns

特性

TA7BP2F06 采用推挽式输出结构,能够提供较强的MOSFET栅极驱动能力,从而加快开关速度,降低开关损耗。其输入端支持宽电压范围的逻辑电平控制,兼容多种控制芯片(如MCU、DSP、FPGA等)的输出信号。该IC内置欠压锁定保护(UVLO)功能,在电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止MOSFET误动作。此外,TA7BP2F06具有良好的抗干扰能力,能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。
  该器件的封装形式多样,便于在不同应用场景中使用,且具备良好的热稳定性与可靠性,适用于长时间连续运行的工业设备。其高速驱动能力使其适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器及电机控制等场合。

应用

TA7BP2F06 主要应用于需要驱动大功率N沟道MOSFET的场合,如开关电源(SMPS)、DC-AC逆变器、无刷直流电机(BLDC)驱动器、工业自动化控制系统、UPS不间断电源、LED驱动电源等。其高边驱动能力也使其适用于半桥或全桥功率拓扑结构中的上管驱动,是各类功率转换系统中不可或缺的关键器件之一。

替代型号

TC4427A, IR2110, LM5112, MIC5020

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