TA50N28T 时间：2025/8/5 21:30:59 阅读：35

TA50N28T是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各类电源管理电路，如DC-DC转换器、电源供应器和马达控制电路。TA50N28T采用TO-220封装，具有良好的热性能和电气性能，适合需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子产品应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：28V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.018Ω
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220

特性

TA50N28T的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。TA50N28T的高速开关特性使其适用于高频电源转换应用，减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。此外，TO-220封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功率工作时仍能保持较低的工作温度。这些特性使得TA50N28T成为高性能电源管理应用的理想选择。
　　另一个重要特性是其广泛的工作温度范围，从-55°C到175°C，这使得TA50N28T适用于各种环境条件下的应用，包括工业自动化、汽车电子和消费电子产品。该器件的高可靠性和长寿命也使其成为关键系统中不可或缺的组成部分。此外，TA50N28T的引脚设计和封装尺寸与许多其他标准MOSFET兼容，便于用户进行替换和升级。综合来看，TA50N28T是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率控制应用。

应用

TA50N28T广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中，包括DC-DC转换器、电源供应器、电池管理系统、马达驱动器和负载开关等。在工业自动化系统中，该器件可用于控制电机、继电器和其他高功率负载的开关操作。在消费电子产品中，TA50N28T可用于优化电源管理，提高设备的能效和续航能力。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动车辆的电池管理系统和车载电源转换器。由于其高可靠性和良好的热性能，TA50N28T还可用于要求苛刻的工业控制系统和电源设备中。在通信设备中，该器件可用于电源模块的设计，确保高效稳定的电力供应。总之，TA50N28T凭借其优异的电气性能和广泛的应用范围，成为众多电源管理和功率控制应用的理想选择。