时间：2025/4/28 8:58:56
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HPP845E034R5是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该芯片具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
这款功率MOSFET采用先进的制造工艺，在保证高可靠性和稳定性的前提下，优化了热性能和电气性能，适合于对效率和散热有较高要求的应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
电压（Vds）：60V
电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ
栅极电荷（Qg）：39nC
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
HPP845E034R5采用了最新的半导体技术，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提升整体效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，特别适用于高频电路设计。
3. 高度可靠的电气性能和热性能，确保在恶劣环境下依然保持稳定运行。
4. 较宽的工作温度范围，适应多种工业级和汽车级应用场景。
5. 符合RoHS标准，环保且支持绿色制造。
HPP845E034R5主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器的同步整流或降压/升压电路。
3. 电机驱动中的桥式电路或逆变电路。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的负载开关或电池保护电路。
由于其强大的电流承载能力和高效的工作特性，该芯片能够胜任各种高功率密度的需求。
HPP845E034R4, HPP845E034R6, IRF840
