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1N5339BRLG 发布时间 时间:2025/4/30 20:46:50 查看 阅读:13

1N5339BRLG是一种常见的高压硅雪崩整流二极管,属于1N533x系列。该二极管主要用于保护电路中的电压瞬态抑制功能,能够承受较高的反向电压,并快速将过压箝位到安全水平。其典型应用场景包括电源适配器、通信设备、工业控制以及其他需要防止瞬态电压冲击的电子系统中。
  这种二极管具有低电容和高响应速度的特点,同时具备较强的浪涌电流处理能力。

参数

最大反向工作电压:700V
  峰值脉冲电流(TP=10ms):23A
  正向电压(IF=1A):1.1V
  最大正向浪涌电流:200A
  结电容:约15pF
  功耗:20W
  封装形式:DO-204AD

特性

1N5339BRLG拥有出色的瞬态电压抑制能力,可有效防止由雷击或开关操作引起的电压尖峰对敏感电子元件造成损害。
  它采用了先进的硅雪崩技术设计,确保在高反向电压条件下仍能保持稳定的性能表现。
  此外,该器件还具备较低的漏电流和良好的热稳定性,非常适合用于要求严苛的工作环境。同时,由于其紧凑型封装,便于集成到各种电路布局中。

应用

1N5339BRLG广泛应用于多种领域,例如电源系统的过压保护、电机驱动中的瞬态抑制、家用电器内的防雷设计以及汽车电子系统的防护等。
  具体来说,它可以用来保护RS-232接口免受静电放电影响,或者作为TVS(瞬态电压抑制器)元件用以保障敏感IC的安全运行。
  此外,在光伏逆变器、LED照明驱动器和不间断电源(UPS)等领域也有它的身影。

替代型号

1N5339B, SMAJ700AT3G, P6KE700CA

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1N5339BRLG参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)5.6V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)1 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装剪切带 (CT)
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5339BRLGOSCT