时间：2025/8/22 10:39:09
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TA1575IG是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能开关操作的电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于如电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及负载开关等应用领域。TA1575IG采用了I2PAK封装技术，确保了在高功率操作下的稳定性和散热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
导通电阻（Rds(on)）：5.7mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：I2PAK
TA1575IG具有多项出色的电气和热性能，使其在高功率应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率，这对于电池供电设备和高效率电源系统尤为重要。
其次，该器件能够承受高达120A的连续漏极电流，使其适用于高负载条件下的工作环境，如电动工具、汽车电子系统以及工业自动化设备。此外，TA1575IG的最大漏源电压为30V，适用于大多数低压功率应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。
其栅源电压最大值为20V，确保在不同的驱动条件下器件的安全运行。TA1575IG还具备良好的热稳定性，最大功率耗散为160W，结合I2PAK封装的优良散热设计，确保在高温环境下仍能保持稳定性能。
该MOSFET的工作温度范围从-55°C到175°C，适应了各种极端环境条件，包括汽车和工业应用中常见的高温和低温环境。
TA1575IG适用于多种高功率电子系统中，常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、马达控制模块、电池管理系统（BMS）、负载开关以及汽车电子系统中的功率控制单元。由于其低导通电阻和高电流能力，TA1575IG特别适合用于需要高效能、低损耗功率开关的应用场景。
TPS2R203、IPD120N30N3、FDMS86263
