T9S0083403DH 时间：2025/8/7 0:25:49 阅读：18

T9S0083403DH 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率晶体管，专为高功率和高效率的应用设计。它属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）家族，通常用于电力电子设备中，如开关电源、电机控制和逆变器。这款晶体管具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，使其能够在严苛的环境中稳定工作。

参数

类型：MOSFET（N沟道）
　　最大漏极电流：80A
　　最大漏源电压：600V
　　导通电阻：0.15Ω
　　最大功耗：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

T9S0083403DH MOSFET具备多项优异特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.15Ω，这使得在导通状态下功耗更低，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件的最大漏极电流高达80A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率应用。此外，最大漏源电压为600V，使得该晶体管能够应用于高压系统中，例如电力逆变器和工业电源设备。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。同时，其最大功耗为200W，进一步增强了其在高功率密度设计中的适用性。此外，T9S0083403DH具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。
　　这款MOSFET还具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在短时间内承受超过额定值的电流或电压，提高了系统的可靠性和安全性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种恶劣的环境条件。

应用

T9S0083403DH MOSFET广泛应用于各种电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用作主开关元件，提供高效的能量转换。在电机控制和驱动系统中，该晶体管可用于PWM（脉宽调制）控制，实现对电机速度和扭矩的精确调节。此外，它还适用于逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），用于将直流电转换为交流电。
　　工业自动化设备和机器人系统中，T9S0083403DH也可用于功率控制模块，提供稳定的高功率输出。在电动汽车（EV）充电设备和电池管理系统中，该晶体管可作为功率开关，支持快速充电和高效能量管理。此外，它还可用于各种工业加热设备和大功率LED照明系统中，提供可靠的高功率开关控制。