T9S0082803DH 时间：2025/8/7 0:01:11 阅读：13

T9S0082803DH 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的场合。这款MOSFET具有较高的电流承载能力和快速的开关特性，适用于诸如电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及各类工业自动化设备等应用。T9S0082803DH 采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了在高负载条件下的稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　漏源击穿电压（VDS）：30V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大8.5mΩ（典型值约6.5mΩ）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

T9S0082803DH 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作，满足严苛的工业应用需求。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提升了器件的开关性能，使其在高频应用中表现出色，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的设计。T9S0082803DH 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，延长了设备的使用寿命。
　　其封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装型封装，便于自动化的PCB组装，同时具备良好的散热性能，有助于提高器件的热管理效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电压，方便与多种控制器或驱动IC配合使用。

应用

T9S0082803DH 常用于各类电源转换和控制电路中，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。在工业自动化系统中，它可用于高电流负载的开关控制，如继电器替代、电磁阀驱动等。此外，该MOSFET也可用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率管理系统，支持高可靠性和高效能的电源设计。
　　由于其低导通电阻和高效率的特性，T9S0082803DH 在高功率密度设计中表现优异，适合用于服务器电源、通信设备电源、工业计算机电源等对空间和效率有严格要求的应用场景。在消费类电子产品中，如大功率LED驱动、充电器和适配器中，该器件也能提供稳定的性能。