时间：2025/3/27 14:26:45
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VNN7NV04 是一款基于硅技术设计的 N 没有通道功率 MOSFET，主要应用于低电压和高效能要求的场景。该器件采用了先进的封装工艺以确保出色的热性能和电气性能。
其主要特点包括低导通电阻、高开关速度以及良好的抗静电能力。这些特性使得 VNN7NV04 成为便携式设备、计算机外设及工业控制等应用的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：16nC
输入电容：1950pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
VNN7NV04 的核心优势在于它的低导通电阻和高效率表现。该器件能够在高频条件下提供高效的切换，并且具备较低的开关损耗。此外，它还具有优秀的热稳定性和耐用性，能够承受严苛的工作环境。其紧凑型封装形式也使其非常适合空间受限的设计需求。
VNN7NV04 的低导通电阻有助于减少功耗，从而提高整体系统效能。同时，由于其具备较高的抗静电能力（ESD），因此在实际使用中更加可靠。
1. 笔记本电脑适配器和充电器
2. 开关电源（SMPS）中的同步整流
3. 工业电机驱动电路
4. 通信电源模块
5. LED 驱动器中的降压转换
6. 固态硬盘控制器中的功率管理
该器件凭借其低导通电阻和高效率特性，在上述领域均表现出色。
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