类型：MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.015Ω（最大值0.018Ω）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AD（3引脚）
　　栅极驱动电压：10V至20V
　　短路耐受能力：支持
　　热阻（Rth）：结到壳热阻约为0.35°C/W

T9KC620603DH具备多项高性能特性。其导通电阻非常低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压额定值为600V，能够在高压环境下稳定工作。连续漏极电流高达180A，适用于高功率应用场景。T9KC620603DH具有良好的热性能，结到壳的热阻低至0.35°C/W，使得热量能够更有效地散发，确保器件在高负载条件下的稳定运行。此外，该MOSFET模块具备良好的短路保护能力，增强了系统的可靠性和耐用性。采用TO-247AD封装，便于安装和散热设计，适用于工业级应用环境。
　　T9KC620603DH还具备出色的开关性能，能够实现快速开关动作，减少开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围为10V至20V，允许用户根据系统需求选择合适的驱动电压，从而优化性能。该器件的封装设计也提供了良好的绝缘性能和机械稳定性，适用于各种严苛的工作环境。

T9KC620603DH常用于工业电源、UPS不间断电源系统、太阳能逆变器、电机控制驱动器、焊接设备、高频电源转换器等领域。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率电源转换系统的理想选择。在UPS系统中，T9KC620603DH用于DC-AC逆变电路，实现高效能的能量转换；在太阳能逆变器中，该器件用于实现直流电能向交流电能的高效转换；在电机驱动系统中，该MOSFET模块用于控制电机的功率输入，实现精确的电机控制；在工业电源中，T9KC620603DH可作为主功率开关器件，用于实现高效的DC-DC或AC-DC转换。

TK180E06K, STP180N6F6AG, IPU60R1K50CEST