类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：50A（最大值）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为9.5mΩ（VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DFN5x6

2DI50D-100-E MOSFET 具备多项优异特性，使其适用于高性能功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力（ID为50A）确保其在高功率负载下仍能稳定工作。
　　其次，2DI50D-100-E 采用DFN5x6封装，具有良好的热性能和较小的PCB占用空间，适用于紧凑型设计。该封装还支持双面散热，有助于提升整体散热性能。
　　此外，该MOSFET具备高栅极电压容限（±20V），增强了其在复杂驱动环境下的可靠性和抗干扰能力。同时，其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于恶劣环境条件下的工业和汽车应用。
　　2DI50D-100-E 还具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高转换效率，适用于高频开关电源和同步整流电路。此外，其增强型结构确保在栅极电压为零时器件处于关闭状态，提高了系统安全性。

2DI50D-100-E 主要用于各种功率电子系统中，作为高效的开关元件使用。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制以及汽车电子系统中的功率管理模块。
　　在DC-DC转换器中，2DI50D-100-E 可用于高频开关拓扑，如Buck、Boost和SEPIC转换器，以实现高效率的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。
　　在电机控制和负载开关应用中，该MOSFET能够承受较大的瞬态电流，并提供稳定的导通和关断性能。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和车身控制模块。
　　此外，2DI50D-100-E 还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，确保电池组在安全范围内工作，并提升电池的使用寿命。

Si4410BDY-T1-GE3, IPD90P06S4-03, FDS4410A, AO4407A