T9G0141203DH 时间：2025/8/7 12:31:26 阅读：30

T9G0141203DH 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于高频率和高效率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。T9G0141203DH 采用先进的封装技术，能够在紧凑的空间内提供出色的热性能和电气性能，同时保持高可靠性和长寿命。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6.0A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值14mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：4.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP8（表面贴装）

特性

T9G0141203DH 具有多个显著的性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件支持高频率开关操作，适用于现代电源设计中对开关速度和效率的严格要求。此外，T9G0141203DH 采用热增强型SOP8封装，提供良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET还具备出色的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了其在恶劣环境中的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围较宽，可在不同的控制电路中灵活应用。T9G0141203DH 的设计也考虑了封装尺寸的优化，适用于空间受限的便携式设备和高密度PCB布局。

应用

T9G0141203DH 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，用于提升转换效率并减小电路体积。在电池管理系统中，T9G0141203DH 可用于实现高效的充放电控制和负载切换。此外，该器件也广泛用于电机驱动、LED照明调光、智能电源管理以及各种消费类电子产品中的功率开关电路。