T9G0141203DH 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专门设计用于高频率和高效率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。T9G0141203DH 采用先进的封装技术,能够在紧凑的空间内提供出色的热性能和电气性能,同时保持高可靠性和长寿命。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):6.0A
导通电阻(Rds(on)):最大值14mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):4.8W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOP8(表面贴装)
T9G0141203DH 具有多个显著的性能优势。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下的低功耗,从而提高了整体系统的效率。其次,该器件支持高频率开关操作,适用于现代电源设计中对开关速度和效率的严格要求。此外,T9G0141203DH 采用热增强型SOP8封装,提供良好的散热性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。
该MOSFET还具备出色的抗雪崩能力和过热保护特性,增强了其在恶劣环境中的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围较宽,可在不同的控制电路中灵活应用。T9G0141203DH 的设计也考虑了封装尺寸的优化,适用于空间受限的便携式设备和高密度PCB布局。
T9G0141203DH 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。例如,在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为主开关器件,用于提升转换效率并减小电路体积。在电池管理系统中,T9G0141203DH 可用于实现高效的充放电控制和负载切换。此外,该器件也广泛用于电机驱动、LED照明调光、智能电源管理以及各种消费类电子产品中的功率开关电路。
T9G0141203DH 的替代型号包括 TPSI8141 和 Si2302DS,它们在电气特性和封装上具有相似的性能指标,适用于类似的功率管理应用。