时间：2025/8/7 7:06:47
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T9G0081203DH 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件主要设计用于高功率和高效率的应用场景，例如电源管理、电机控制、逆变器和工业自动化设备。作为一款N沟道增强型MOSFET，T9G0081203DH具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特点，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（Id）：80A
漏源击穿电压（Vds）：200V
栅源击穿电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：最大8mΩ（典型值6mΩ）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：300W
T9G0081203DH 的核心特性包括低导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统效率。
其高漏源击穿电压（Vds）为200V，使其适用于高电压应用，同时具备较强的过压保护能力。
该器件的栅源击穿电压为±30V，支持宽范围的栅极驱动电压，并具有良好的抗干扰能力。
得益于其高功率耗散能力（300W）和优良的热管理设计，T9G0081203DH能够在高温环境下稳定运行。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。
TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，也便于安装和集成到各种电路板设计中。
T9G0081203DH 主要应用于需要高功率处理能力和高可靠性的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可作为主开关器件，用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块等场景，以实现高效能的能量转换。
在电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机以及伺服电机，实现精确的速度和扭矩控制。
此外，T9G0081203DH 也广泛用于逆变器系统，如太阳能逆变器、UPS不间断电源等，支持将直流电转换为交流电，并提高系统的整体效率。
在工业自动化和机器人控制系统中，该器件可用于高功率负载的开关控制，如电磁阀、继电器和大功率LED照明系统。
由于其优异的电气性能和可靠性，T9G0081203DH 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）等。
TK200E08K,T9G0081203DF,T9G0081203DS
