时间：2025/12/30 11:27:40
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T86VX38IB256CDA 是一款由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）集成电路。该器件被设计用于高速数据存储应用，提供快速的读写能力，无需刷新电路，适合需要可靠性和稳定性的应用场景。T86VX38IB256CDA 采用先进的CMOS技术制造，确保低功耗运行，同时保持高性能表现。该芯片广泛用于网络设备、工业控制、通信系统和嵌入式系统中。
容量：256K x 36位
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：10ns
封装类型：256引脚 BGA
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
工作模式：异步
功耗：典型值 150mA（待机模式下 10mA）
封装尺寸：17mm x 17mm
T86VX38IB256CDA 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，其容量为256K x 36位，适用于需要高带宽和快速数据访问的系统。该芯片支持异步工作模式，意味着其读写操作不需要时钟信号同步，提高了设计的灵活性。其高速访问时间（10ns）确保了系统运行的高效性，特别适合用于缓存、缓冲区或实时数据处理场景。
该芯片采用先进的CMOS工艺制造，使其在高速运行的同时保持较低的功耗。在待机模式下，电流消耗仅为10mA，有助于延长设备的电池寿命并减少热量产生。此外，该SRAM支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），适应不同的电源设计需求，增强了其在各种环境中的适用性。
封装方面，T86VX38IB256CDA 使用256引脚球栅阵列（BGA）封装，尺寸为17mm x 17mm，适合高密度PCB布局。该封装形式提供了良好的热管理和电气性能，确保芯片在高频工作下的稳定性和可靠性。其工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种严苛环境，包括工业自动化、车载电子和通信基础设施。
这款SRAM芯片还具备高可靠性和长使用寿命，适用于需要长期稳定运行的系统。其无刷新设计减少了外围电路的复杂性，降低了系统设计的难度，同时也提高了整体系统的稳定性。T86VX38IB256CDA 还具备较强的抗干扰能力和信号完整性设计，适合高速数据传输场景。
T86VX38IB256CDA SRAM芯片主要应用于高性能嵌入式系统、网络路由器和交换机、工业控制设备、测试测量仪器、通信基础设施以及汽车电子系统等领域。其高速访问能力和低功耗特性使其成为高速缓存、帧缓冲、数据缓冲和临时存储的理想选择。此外，该芯片也常用于FPGA开发板、DSP处理系统和高端消费电子产品中。
IS6TWH256A1BFBLL-10BLF、CY7C1555V18-10BZS、IDT71V416S10PFGI、AS7C3256DV256B2TRTG
