时间：2025/8/6 1:01:39
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IXTP230N04T4是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等高功率场合。该器件采用了先进的沟槽栅技术，提供了较低的导通电阻和优异的开关性能。其封装形式为TO-247，便于散热并适用于高电流应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
连续漏极电流(Id)：230A
导通电阻(Rds(on))：最大值为3.15mΩ（典型值约为2.5mΩ）
栅极阈值电压(Vgs(th))：约2V至4V
最大功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXTP230N04T4的主要特性包括极低的导通电阻，可有效减少导通损耗，提高系统效率；采用先进的沟槽栅技术，提供优良的开关性能，降低开关损耗；具有高电流处理能力，适合高功率应用；具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作。此外，该MOSFET具有较高的短路耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。TO-247封装设计有助于快速散热，确保器件在高负载条件下保持良好的热管理。
IXTP230N04T4广泛应用于多种高功率电子系统中，如开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电系统）。其出色的性能使其成为需要高效能功率开关的理想选择。
IXTP230N04T4S，IXTP210N04T4，IXTP170N04T4
