T83D10IW 时间：2025/12/30 12:56:18 阅读：14

T83D10IW 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件设计用于高功率和高频率的应用，提供优异的导通性能和快速的开关特性。T83D10IW通常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业和消费类电子设备中。该MOSFET采用先进的制造工艺，确保了高可靠性和长寿命，是许多高性能电子系统中的关键组件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　漏源击穿电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on))：约1.8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

T83D10IW具备多项优异的电气和物理特性，使其适用于高要求的功率电子应用。首先，该MOSFET的高电流承载能力（100A）和低导通电阻（RDS(on)）确保了在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。其次，其100V的漏源击穿电压适用于多种中高压应用，如电源供应器、马达驱动器和逆变器。此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在高达+175°C的结温下稳定运行，适用于高温环境下的电子系统。T83D10IW还具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度和效率。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种电路设计中。最后，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），增强了其与不同驱动电路的兼容性，适用于多种应用场景。

应用

T83D10IW广泛应用于需要高功率密度和高效率的电子设备中。典型应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机控制器、DC-DC转换器、电池管理系统以及高性能开关电源（SMPS）。此外，它也适用于电动工具、电动汽车充电设备和家用电器中的功率控制模块。由于其出色的热稳定性和高电流能力，T83D10IW特别适合用于需要长时间运行和高负载切换的系统中。