IXXN200N60C3H1 时间：2025/8/6 1:36:07 阅读：27

IXXN200N60C3H1 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）制造的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），主要用于高功率和高频率的电力电子应用。该器件结合了 MOSFET 的易驱动特性和双极型晶体管的低导通压降特性，适用于电机驱动、工业逆变器、电源转换系统等应用场景。

参数

类型：N 沟道 IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：600 V
　　最大集电极电流（IC）：200 A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极-发射极电压（VGE）：±20 V
　　导通压降（VCEsat）：约 2.1 V（典型值）
　　短路耐受能力：有
　　封装类型：TO-247
　　安装类型：通孔

特性

IXXN200N60C3H1 的核心特性之一是其优异的导通和开关性能。该器件采用了先进的沟槽栅场截止（Trench Field Stop）技术，实现了低导通压降（VCEsat）和快速开关特性，从而降低了导通损耗和开关损耗。此外，该 IGBT 具有良好的短路耐受能力，使其在电机驱动和逆变器等应用中具有更高的可靠性和稳定性。
　　另一个关键特性是其高工作温度能力，允许在高温环境下稳定运行，适用于工业和自动化设备中的苛刻条件。器件的栅极驱动简单，兼容标准的 15V 驱动电压，简化了驱动电路的设计并降低了系统复杂度。
　　此外，IXXN200N60C3H1 在封装设计上采用了 TO-247 通孔封装，具有良好的散热性能，能够有效处理高功率密度应用中的热量。其封装材料符合 RoHS 标准，支持环保应用需求。

应用

IXXN200N60C3H1 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括工业电机驱动器、变频器、电源逆变器以及不间断电源（UPS）等。在电机驱动系统中，该 IGBT 可以高效地控制电机的转速和扭矩，适用于工业自动化和伺服控制等场景。在逆变器设计中，它被广泛用于将直流电转换为交流电，支持太阳能逆变器和储能系统等应用。
　　此外，该器件还可用于感应加热系统、焊接设备和电动车辆充电系统中，提供高效的功率转换和可靠的运行性能。由于其高功率处理能力和优异的开关特性，IXXN200N60C3H1 成为多种高功率工业和消费类电子应用中的首选器件。