时间：2025/7/23 13:13:08
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T835600G是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等应用领域。T835600G的封装形式通常为SOP（Small Outline Package）或类似的小型表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
漏极连续电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：最大35mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOP-8
T835600G的核心优势在于其低导通电阻和高开关性能，这使得它在高频率开关应用中表现出色。该器件采用东芝先进的Trench MOSFET技术，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，其封装设计具备良好的热性能，能够在较高工作温度下稳定运行，增强了系统的可靠性和耐久性。T835600G还具备较强的抗过载和短路能力，适合用于对安全性和稳定性要求较高的工业和消费类电子产品中。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，方便用户在不同应用环境中使用。
T835600G广泛应用于多种电源管理和功率控制场景，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路、电机驱动器以及工业控制设备中的功率开关。由于其高效率和小尺寸封装，也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源管理模块。
Si2302DS, AO3400A, FDS6680, NTD14N03RT
