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C2D05120A 发布时间 时间:2025/9/11 8:23:49 查看 阅读:39

C2D05120A是一款由Cree(现为Wolfspeed)生产的碳化硅(SiC)肖特基二极管。这款二极管基于SiC半导体材料,具备优异的热稳定性和高开关效率,适用于高频率和高功率的电子转换系统。C2D05120A特别设计用于提高电源系统的效率,减少能量损耗,并且在高温环境下仍能保持稳定运行。

参数

类型:碳化硅肖特基二极管
  最大重复反向电压:1200V
  最大正向电流:5A
  正向电压降:1.8V @ 5A
  反向漏电流:100μA @ 25°C
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

C2D05120A的主要特性包括其碳化硅材料带来的卓越热导率和高击穿电场强度。这使得该二极管能够承受更高的反向电压并运行在更高的温度下,而不会显著影响性能。此外,该器件的肖特基结构确保了快速的开关速度,几乎消除了反向恢复时间和相关损耗。其正向电压降较低,有助于进一步提高能效并减少热量产生。C2D05120A的封装形式(TO-220)也优化了散热性能,适合在紧凑型高功率应用中使用。
  在实际应用中,C2D05120A表现出优异的可靠性,能够在极端环境下长时间稳定运行。由于SiC材料的特性,该器件还具有较强的抗辐射能力和抗湿度能力,适用于恶劣的工作环境。同时,该二极管的设计支持高密度功率电路布局,有助于减少电路板空间占用并提升整体系统性能。

应用

C2D05120A广泛应用于高功率和高频率的电力电子系统中,例如工业电源、电动汽车充电器、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及各种类型的DC-DC转换器。它也常用于高频开关电源和电机驱动系统,以提高系统的整体效率和稳定性。由于其在高温环境下的可靠表现,该器件在航空航天、国防电子和高要求的工业控制系统中也得到了广泛应用。

替代型号

C3D06065A, C2D10120A

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C2D05120A参数

  • 产品培训模块SiC Diodes in Inverter ModulesSiC Schottky Diodes
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型碳化硅肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io)10A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.8V @ 5A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)0ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200µA @ 1200V
  • 电容@ Vr, F455pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商设备封装TO-220-2
  • 包装管件