T820069004DH 时间：2025/8/7 3:53:28 阅读：27

T820069004DH 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的应用场景，例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高耐压和快速开关性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：40A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.028Ω（典型值）@ VGS=10V
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　

特性

T820069004DH具有多项优秀的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。在高电流负载下，低RDS(on)还能减少发热，延长器件寿命。
　　其次，该器件具备较高的耐压能力，漏源电压（VDS）可达100V，适用于中高压功率转换系统，例如电源供应器、DC-DC转换器和电池管理系统。
　　此外，T820069004DH的封装采用TO-252（DPAK）形式，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于在PCB上集成和散热设计。
　　该MOSFET的栅极电压容限为±20V，提供更高的操作灵活性和可靠性，避免因栅极电压波动而损坏器件。
　　最后，T820069004DH具备快速开关特性，支持高频工作，适用于高效能开关电源（SMPS）和高频DC-DC转换器等应用，提升系统响应速度并减小外围元件体积。

应用

T820069004DH适用于多种高功率和高效率电子系统，包括但不限于以下应用场景：
　　1. **开关电源（SMPS）**：作为主功率开关器件，用于AC-DC或DC-DC转换器中，实现高效能能量转换。
　　2. **电机控制**：用于H桥或半桥式马达驱动电路，实现高效、高响应的马达控制。
　　3. **电池管理系统**：在电动车、储能系统或UPS中作为负载开关或充放电控制开关。
　　4. **工业自动化设备**：用于高电流负载控制、电源分配和保护电路。
　　5. **DC-DC转换器**：在高效率、高频转换电路中用作功率开关，减少能量损耗并提高系统稳定性。
　　6. **负载开关电路**：在需要快速开关控制的场合，如服务器电源管理、工业控制模块等，提供可靠的开关操作。