时间：2025/8/7 4:24:57
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T7H8147504DN是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），由Toshiba（东芝）公司生产。这款SRAM芯片通常用于需要快速数据访问和高稳定性的应用场合，例如工业控制系统、通信设备和嵌入式系统。T7H8147504DN采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性，适用于需要长期稳定运行的设备。该芯片采用标准的封装形式，便于集成到各种电路设计中。
容量：4Mbit
组织方式：512K x 8
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
最大工作频率：166MHz
数据保持电压：1.0V
待机电流：10mA（典型值）
T7H8147504DN具有多项显著特性，使其适用于高性能系统。首先，其高速访问时间为5.4ns，支持高达166MHz的工作频率，能够满足对数据处理速度要求较高的应用需求。其次，该芯片支持低电压操作，电源电压范围为2.3V至3.6V，允许在多种电源条件下稳定运行，并降低整体功耗。
此外，T7H8147504DN在待机模式下的电流消耗仅为10mA（典型值），有助于延长电池供电设备的使用时间。其数据保持电压低至1.0V，在系统进入低功耗模式时仍能有效保存数据，适用于需要长时间数据存储的应用。
该芯片采用CMOS制造工艺，提供出色的抗干扰能力和稳定性，确保在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内可靠运行。封装方面，T7H8147504DN采用54引脚TSOP封装，符合行业标准，便于在PCB上布局和焊接。
T7H8147504DN广泛应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的各类电子设备中。典型应用包括网络设备、工业自动化控制器、嵌入式系统、数据采集设备以及高端消费类电子产品。由于其高速存取能力和宽温度范围支持，T7H8147504DN特别适用于对数据处理速度和可靠性要求较高的工业控制和通信系统。
在通信设备中，该芯片可用于缓存数据或作为高速缓冲存储器，提高系统响应速度。在嵌入式系统中，T7H8147504DN可作为主存储器或用于存储关键运行数据。此外，该芯片也适用于需要长时间数据保持的低功耗设备，如便携式测量仪器和智能传感器。
