LDTA144ELT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件主要用于通用开关和放大应用,具有较高的可靠性与稳定性。LDTA144ELT1G采用SOT-23(Small Outline Transistor)封装,适合在紧凑型电路设计中使用。其内置的电阻器(通常为基极-发射极之间)使得该晶体管在使用过程中无需额外的偏置电阻,简化了电路设计并减少了PCB布板面积。
类型:NPN型晶体管
封装类型:SOT-23
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
最大功耗(Pd):300 mW
电流增益(hFE):110-800(根据工作条件不同)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
LDTA144ELT1G晶体管具有多种实用特性,使其在通用电子设计中非常受欢迎。首先,该器件内置基极-发射极电阻,通常为10 kΩ 和 10 kΩ 的分压结构,使得晶体管可以被直接驱动,无需外部偏置电路。这种集成电阻设计不仅简化了电路结构,还提高了系统的稳定性和可靠性。
其次,该晶体管的最大集电极电流为100 mA,适用于低至中功率的开关和放大应用。其集电极-发射极击穿电压(Vceo)为50 V,能够在较高电压环境下稳定工作。此外,最大功耗为300 mW,确保了在SOT-23封装下的热稳定性。
该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800不等,具体数值取决于工作电流和温度条件。这一特性使得它在多种放大电路中都能表现出良好的性能,包括音频放大器、电压调节器和逻辑电平转换等应用。
LDTA144ELT1G的工作温度范围从-55°C到+150°C,支持在极端温度环境下运行,适用于工业和汽车电子系统等要求较高的应用场合。
LDTA144ELT1G广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要低功耗、小型化和高可靠性的设计中。典型应用包括:数字电路中的开关控制、LED驱动电路、继电器和小型马达的控制、信号放大电路以及电平转换电路。由于其内置电阻的特性,它在微控制器I/O引脚的扩展应用中也非常常见,如用于驱动显示屏、传感器和小型执行器。此外,该晶体管还适用于汽车电子系统,如车身控制模块、车载娱乐系统和仪表盘显示控制等。
LDTA144EUA、LDTA144EKA、LDTA144EE、LDTA144EHT1G、MMBT3904LT1G、2N3904