时间：2025/8/7 1:44:32
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T7H8066504DN 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，广泛用于电源管理、电机控制和功率转换等领域。这款MOSFET器件采用高性能的沟槽式技术，具备较低的导通电阻和较高的开关效率，适用于各种需要高效能功率控制的应用场景。该器件封装形式为TO-220，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：60A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：23mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
T7H8066504DN MOSFET采用先进的沟槽式结构，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，提高系统效率。其低导通电阻（RDS(on)）特性使得在大电流应用中减少了功率损耗，提高了整体性能。此外，该器件具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行，适用于要求苛刻的工业和汽车电子应用。
该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合需要高功率密度的设计。其±20V的栅极-源极电压允许在较宽的控制电压范围内工作，增加了设计的灵活性。此外，T7H8066504DN的开关速度快，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。
T7H8066504DN MOSFET常用于各种功率电子系统中，如直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器、工业自动化设备以及汽车电子系统等。在电动汽车和混合动力汽车中，该器件可用于电机控制和能量管理系统，提供高效的功率控制解决方案。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也可用于高效的能量转换和管理。
TK80S60X,T7H8066504FL
