时间：2025/8/7 7:05:48
阅读：19
T720165504DN 是一款由Toshiba（东芝）公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型MOSFET。该器件主要用于需要高效率、高速开关和较高功率密度的电子电路中，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备等应用。T720165504DN 采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)），以减少开关损耗并提高系统效率。该器件封装在紧凑的表面贴装封装中，便于在空间受限的电路设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：12V
最大漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
T720165504DN 具备多项优良的电气和热性能，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。这对于需要长时间运行的便携式设备和电池供电系统尤为重要。
其次，该MOSFET支持较高的栅极驱动电压（最高12V），使得用户可以在不同的应用中灵活配置栅极驱动电路，从而优化开关性能。同时，其最大漏源电压为20V，适用于低压DC-DC转换器、负载开关和电源管理模块。
该器件的封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适合在空间受限的设计中使用。SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片工艺，提高生产效率。
此外，T720165504DN 具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作（-55°C至+150°C）。这使其适用于环境温度变化较大的工业和汽车电子应用。
最后，该MOSFET具备较快的开关速度，适用于高频开关电路，如PWM（脉宽调制）控制器、LED驱动器和小型逆变器等。其低输入电容（Ciss）和低开关损耗也有助于提升高频应用中的效率。
T720165504DN 广泛应用于各种低电压、高效率的电子系统中。例如，它可用于设计DC-DC升压/降压转换器，作为负载开关控制电源通断，或者用于电机驱动和LED照明系统中的PWM调光控制。
在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该MOSFET常用于电池管理系统中的负载开关，以减少待机功耗并延长电池寿命。此外，由于其高频开关能力和低导通电阻，T720165504DN 也适用于小型电源适配器、USB PD电源管理模块和工业自动化控制电路中的功率开关应用。
Si2302DS, FDMS86180, FDN340P, AO3400A
