时间：2025/9/3 18:41:49
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T6A60L 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率MOSFET晶体管，广泛应用于高功率和高频率的开关电路中。T6A60L采用N沟道结构，具备较高的耐压和电流承受能力，适用于电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动器等电力电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：6A
最大功率耗散(Pd)：50W
导通电阻(Rds(on))：典型值为1.4Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
T6A60L具有出色的导通性能和较低的导通损耗，这使得它在高频率开关应用中表现出色。该器件采用了先进的平面硅技术，具有良好的热稳定性和可靠性。其低导通电阻特性（Rds(on)）能够有效减少能量损耗，提高系统的整体效率。
此外，T6A60L具备较高的短路耐受能力，使其在极端工作条件下依然能够保持稳定运行。栅极驱动要求较低，能够兼容常见的驱动电路，减少设计复杂性。TO-220封装形式具有良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
T6A60L广泛应用于各类电源管理设备中，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等。此外，它还适用于电机控制、电子镇流器、照明设备、UPS不间断电源以及家用电器中的功率控制模块。由于其良好的性能和可靠性，T6A60L也常用于工业自动化设备、电动工具以及新能源系统中的功率开关电路。
TKA60N60D、TKA60N60D、STP6NK60Z、IRF840、FQA6N60C
