时间：2025/8/3 9:42:30
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T6655D是一款由东芝（Toshiba）设计和制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、高功率密度的电源管理系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于需要快速开关和高可靠性的应用场景。T6655D采用标准的TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和机械稳定性，便于在各种工业和消费类电子产品中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
T6655D的主要特性包括：低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，提高系统效率；
采用先进沟槽栅极技术，提供出色的开关性能；
高电流承载能力，适用于高功率应用；
具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作；
内置防静电保护结构，提升器件的可靠性和耐用性；
TO-252封装提供了优良的散热能力，便于在空间受限的电路板上布局；
适用于高频开关应用，降低开关损耗并提高系统效率；
器件设计符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对环保材料的要求。
T6655D广泛应用于多种电子设备中，如高效率DC-DC转换器，用于笔记本电脑、服务器、通信设备的电源模块；
电机控制和驱动电路，如电动工具、无人机和工业自动化设备；
电池管理系统（BMS）中的充放电控制和保护电路；
负载开关电路，用于智能电源管理；
汽车电子系统，如车载充电器和辅助电机控制；
消费类电子产品中的高功率负载控制，如显示器背光调节和大功率LED驱动。
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