时间：2025/8/2 10:19:29
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T6633D/S 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率的功率转换应用。这款MOSFET采用了先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用中表现出色。T6633D/S采用DPAK（TO-252）封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：130A
导通电阻（Rds(on)）：@4.5V=3.3mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：DPAK（TO-252）
T6633D/S的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的漏源电压为30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种功率转换应用。栅源电压支持±20V，提供了较高的栅极驱动灵活性，确保MOSFET在不同驱动条件下都能稳定工作。
此外，T6633D/S具有高电流承载能力，额定连续漏极电流为130A，适用于大电流负载的应用场景。其先进的封装设计（DPAK）不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，简化了PCB布局和制造流程。
T6633D/S广泛应用于各种功率电子系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，T6633D/S可用作主开关器件，帮助实现高效率的AC-DC转换。其低导通电阻和高电流能力使其成为DC-DC转换器的理想选择，适用于笔记本电脑、服务器电源、通信设备等领域的电压调节系统。
STP120N3LLH6AG, IRF130, IRF1404, SiR182DP
