LMSZ3V9ET1G是一款由ON Semiconductor生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件的标称齐纳电压为3.9V,适用于各种模拟和数字电路中的电压调节、电平转换以及保护电路。LMSZ3V9ET1G采用小型SOD-123表面贴装封装,具有良好的热稳定性和响应速度,适合在紧凑型电子设备中使用。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):3.9V(在测试电流IZ为20mA时)
最大齐纳电流(Izmax):200mA
最大功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123
安装类型:表面贴装(SMD)
LMSZ3V9ET1G齐纳二极管具有良好的电压调节精度和稳定性,能够在广泛的电流范围内保持稳定的输出电压。该器件的响应速度快,能够在短时间内响应输入电压的变化,从而提供可靠的稳压性能。其SOD-123封装形式不仅节省空间,还具有良好的热传导性能,确保在高电流工作时仍能保持稳定。
该齐纳二极管的反向击穿电压具有较低的动态阻抗,使其在负载变化时仍能保持较小的电压波动。此外,LMSZ3V9ET1G的温度系数较低,确保在不同环境温度下其稳压性能不会受到显著影响。这种特性使其非常适合用于精密模拟电路、电源管理模块和电压参考源等应用。
由于其小型封装和高性能特性,LMSZ3V9ET1G广泛应用于便携式电子产品、通信设备、工业控制系统和消费类电子设备中。它还可以作为过压保护元件,用于防止敏感电子元件受到过高电压的损害。
LMSZ3V9ET1G主要用于电压调节、参考电压源、电平转换、过压保护电路以及电源管理系统。该器件广泛应用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)、电源适配器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备和测试测量仪器中。
LMSZ3V9E、LMSZ3V9BRTB、MM3Z3V9T1G