时间：2025/9/2 23:50:04
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T6421M是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率晶体管，通常用于高功率应用领域。该晶体管采用TO-220封装，适用于各种需要高电流和高电压能力的电子电路。T6421M主要设计用于电源管理和电机控制等领域，具备较高的可靠性和稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：15A
最大漏极-源极电压：60V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻：0.035Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至175°C
T6421M的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在高功率和高温环境下运行。其TO-220封装设计便于安装和散热，同时提供了良好的电气隔离性能。
这款MOSFET还具有快速开关特性，适用于需要高频操作的应用场景。其栅极驱动要求较低，能够与多种控制电路兼容。此外，T6421M具备过载和短路保护功能，进一步增强了其在严苛环境下的可靠性。
T6421M广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关和电池充电器等电路设计中。它特别适合用于需要高效率和高可靠性的系统，例如工业自动化设备、电动工具、汽车电子以及家用电器。由于其优异的电气性能和耐用性，T6421M也常用于直流电源转换器和功率放大器设计。
T6421M的替代型号包括T6421和T6421F。
