类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A
　　最大漏-源电压（Vds）：60V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220

T6407D 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体能效。该器件采用了先进的沟槽式栅极结构，优化了电流分布并增强了热稳定性。
　　此外，T6407D 具有较高的电流承载能力和良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。其高栅极电荷（Qg）设计确保了在高频开关应用中仍能保持良好的性能，适用于如DC-DC转换器和同步整流器等需要快速开关的场合。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够承受短时间的过压和过流冲击，提高了系统可靠性。T6407D 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，使其适用于多种控制电路设计。
　　由于其高耐压和高电流能力，T6407D 在电源管理、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备中得到了广泛应用。

T6407D 主要应用于需要高功率处理能力的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它常用于同步整流、负载开关以及DC-DC降压或升压转换器中，以提高能量转换效率。
　　在电机驱动电路中，T6407D 可作为H桥电路中的主开关器件，用于控制直流电机或步进电机的运行方向和速度。
　　此外，该器件也广泛应用于逆变器系统中，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），用于将直流电转换为交流电。
　　在电池管理系统（BMS）中，T6407D 常被用于电池充放电控制和保护电路，以确保电池组的安全运行。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，T6407D 也被广泛应用于工业自动化设备、电动工具、电动汽车和储能系统等领域。

Si7464DP, IRF1405, T6407K