您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > T6400E

T6400E 发布时间 时间:2025/9/2 19:40:42 查看 阅读:11

T6400E 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。这款MOSFET采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻(RDS(on))、高电流能力和优良的热稳定性,适用于工业控制、电源管理、电机驱动和消费类电子产品等领域。T6400E采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够在高负载条件下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):80A
  导通电阻(RDS(on)):10mΩ(典型值)
  最大功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-220

特性

T6400E 功率MOSFET具备多项优异特性,首先是其极低的导通电阻(RDS(on)),仅为10mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了系统的能效。其高电流能力(最大连续漏极电流为80A)使其适用于大功率负载的控制和开关应用。
  其次,该器件支持高达±20V的栅源电压,具备良好的抗过压能力,提高了在复杂电磁环境中的可靠性。此外,T6400E的TO-220封装形式具有优异的散热性能,能够有效应对高功耗应用中的热管理问题。
  该MOSFET还具备快速开关特性,适合用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)确保了在极端环境下的稳定性和耐久性,适用于工业级和汽车电子等要求严苛的应用场景。

应用

T6400E 广泛应用于多个领域,包括但不限于工业自动化控制系统、电源模块、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、不间断电源(UPS)、逆变器以及电动工具和电动车控制系统等。其高效能和高可靠性的特点,使其成为高性能功率开关的理想选择。
  在电机控制方面,T6400E能够有效驱动直流电机和步进电机,提供稳定的电流输出和高效的能量转换。在电源管理应用中,它常用于同步整流、负载开关和电压调节模块中,以提高整体能效。
  此外,T6400E也适用于需要高可靠性和高耐久性的汽车电子系统,如车载充电系统、车身控制模块和电动助力转向系统等。

替代型号

STP80NF60, IRF1405, FDP80N60

T6400E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价