T6400E 时间：2025/9/2 19:40:42 阅读：23

T6400E 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和优良的热稳定性，适用于工业控制、电源管理、电机驱动和消费类电子产品等领域。T6400E采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（典型值）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220

特性

T6400E 功率MOSFET具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为10mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统的能效。其高电流能力（最大连续漏极电流为80A）使其适用于大功率负载的控制和开关应用。
　　其次，该器件支持高达±20V的栅源电压，具备良好的抗过压能力，提高了在复杂电磁环境中的可靠性。此外，T6400E的TO-220封装形式具有优异的散热性能，能够有效应对高功耗应用中的热管理问题。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在极端环境下的稳定性和耐久性，适用于工业级和汽车电子等要求严苛的应用场景。

应用

T6400E 广泛应用于多个领域，包括但不限于工业自动化控制系统、电源模块、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、逆变器以及电动工具和电动车控制系统等。其高效能和高可靠性的特点，使其成为高性能功率开关的理想选择。
　　在电机控制方面，T6400E能够有效驱动直流电机和步进电机，提供稳定的电流输出和高效的能量转换。在电源管理应用中，它常用于同步整流、负载开关和电压调节模块中，以提高整体能效。
　　此外，T6400E也适用于需要高可靠性和高耐久性的汽车电子系统，如车载充电系统、车身控制模块和电动助力转向系统等。