类型：双极型晶体管（NPN）阵列
　　晶体管数量：2个独立晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大基极电流（Ib）：5 mA
　　增益（hFE）：110至800（取决于工作电流）
　　功耗（Pd）：300 mW
　　封装类型：SSOP/SOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

T6130NS 具有以下显著特性：
　　首先，其内部集成了两个完全匹配的NPN晶体管，这在差分放大电路和对称信号处理应用中非常有用，能够有效提高电路的稳定性和线性度。
　　其次，该器件采用了先进的硅外延平面工艺制造，具备良好的高频响应和低噪声特性，适用于中高频信号放大和处理场景。
　　再者，T6130NS 的低饱和压降（Vce_sat）特性使其在开关应用中功耗更低，效率更高，非常适合电池供电设备和低功耗系统。
　　此外，该器件具有较高的电流增益（hFE），在不同工作电流下保持稳定的放大性能，确保电路设计的灵活性和可靠性。
　　最后，其小型化的表面贴装封装形式不仅节省了PCB空间，还便于自动化生产与焊接，提高了整体系统的可靠性。

T6130NS 广泛应用于多个电子领域。在模拟电路中，常用于差分放大器、运算放大器输入级和信号调理电路。由于其良好的匹配特性，适合用于需要对称信号处理的场合，如音频放大器的前级放大。
　　在数字电路中，T6130NS 可作为逻辑电平转换器或缓冲器，帮助实现不同电压域之间的信号传输，常见于微控制器与外围设备之间的接口设计。
　　此外，该器件也常用于各种驱动电路中，如LED驱动、继电器控制和小型电机驱动等场景。由于其低饱和压降和较高的电流增益，能够有效提高驱动效率并减少发热。
　　在工业自动化和通信设备中，T6130NS 也用于信号开关、传感器接口电路以及低噪声前置放大器等关键部位，为系统提供稳定可靠的性能支持。

T6130NS的替代型号包括T6130GS、T6131NS、T6130DS、T6130PS