T600061504BT 时间：2025/8/7 6:21:18 阅读：25

T600061504BT 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET晶体管。该器件属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于高频率和高效能的电源管理应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，使其成为工业控制、电源转换、电机驱动和电池管理系统等领域的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：15A（在Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻(Rds(on))：0.4Ω（典型值）
　　输入电容(Ciss)：1500pF（典型值）

特性

T600061504BT具备多个优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件能够承受高达600V的漏源电压，适用于高压应用环境。
　　此外，T600061504BT采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。其高栅极阈值电压（通常为2V至4V）确保了器件在各种工作条件下都能可靠开启和关闭。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。此外，其输入电容较低，有助于减少开关损耗，提高高频应用的响应速度。

应用

T600061504BT广泛应用于多种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动电路。在家电领域，该器件可用于变频空调、电磁炉和洗衣机等产品的功率控制模块。
　　在工业自动化领域，T600061504BT常用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出驱动电路、伺服电机控制器和工业电源模块。此外，在新能源领域，该MOSFET可用于太阳能逆变器和储能系统的功率开关电路。
　　由于其高可靠性和耐压能力，T600061504BT也适用于电动汽车的电池管理系统（BMS）和车载充电器等汽车电子应用。