时间：2025/6/28 21:28:46
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T58W9476M6R3C0200 是一款高集成度的存储芯片，通常用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片基于先进的 NAND Flash 技术制造，提供可靠的非易失性存储解决方案。
该型号可能隶属于某个特定厂商的高性能闪存系列，具体细节需结合厂商官方资料确认。其设计旨在满足工业、消费电子和嵌入式系统中对高密度存储的需求。
类型：NAND Flash
容量：476GB
接口：PCIe NVMe 或 Toggle Mode（具体需进一步确认）
工作电压：1.8V/3.3V
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
擦写寿命：3000 次（典型值）
T58W9476M6R3C0200 提供了出色的性能表现和可靠性。它采用了最新的制程工艺，从而在功耗和速度上实现了良好的平衡。
该芯片支持高级错误校正码（ECC）技术，能够显著提高数据的完整性。
同时，它还具备内置的数据保护机制，如磨损均衡和坏块管理功能，确保长期使用中的稳定性。
此外，这款芯片还支持多种安全功能，例如数据加密和安全擦除，非常适合对数据隐私要求较高的应用环境。
T58W9476M6R3C0200 广泛应用于各种需要大容量存储的设备中，包括但不限于固态硬盘（SSD）、监控录像设备、工业计算机、网络存储设备以及高端消费电子产品。
它的高可靠性和低功耗特点也使其成为嵌入式系统的理想选择，特别是在需要长时间运行且环境条件较为苛刻的情况下。
此外，由于支持多种接口标准，因此可以灵活适配不同的硬件平台。
T58W9476M6Q3C0200
T58W9476M6P3C0200
T58W9476M6S3C0200
