类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：10A
　　最大漏-源电压：450V
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

HSR10T45SP 具有优异的导通性能和开关特性，适用于高频率和高功率的开关电源设计。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有高耐压能力，可承受高达450V的漏-源电压，使其适用于各种高压应用环境。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适用于恶劣工业环境。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，进一步提升散热效率。
　　HSR10T45SP的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的抗干扰能力，确保在高噪声环境下也能稳定运行。此外，该器件具有较低的开关损耗，有助于提高系统的工作频率，从而减小外围电路元件的尺寸和成本。
　　综合来看，HSR10T45SP 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种高功率和高电压应用场景。

HSR10T45SP 主要用于各类高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统等。其高耐压和高电流能力使其非常适合用于高压电源转换设备中，例如太阳能逆变器、UPS不间断电源、电焊机和高频电源等。
　　在电机控制应用中，HSR10T45SP可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机，提供高效的功率输出和稳定的控制性能。此外，该器件也常用于功率放大器设计，如音频放大器和射频功率放大器，以满足高保真和高功率输出的需求。
　　由于其优异的热稳定性和可靠性，HSR10T45SP也广泛应用于工业控制设备、医疗设备和通信设备中的电源模块设计中，确保长时间运行的稳定性与安全性。

IXTK10P45P, IRF840, FQA10N45, STP10NK45Z