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T5650 发布时间 时间:2025/12/30 11:17:30 查看 阅读:13

T5650是一款由东芝(Toshiba)公司推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率密度和高效率的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽式(Trench)MOSFET技术,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。T5650的封装形式为SOP(小外形封装)或TO-252(DPAK),具备良好的散热能力和机械稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):约2.9mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):134W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

T5650的主要特性之一是其极低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用东芝的先进Trench MOSFET技术,使得其在高压和高电流条件下仍能保持稳定的工作状态。
  此外,T5650具备出色的热稳定性和抗过载能力,能够在高温环境下长时间运行而不发生性能衰减。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持多种控制电路的兼容性设计,适用于各种高功率应用场合。
  在开关性能方面,T5650表现出较低的开关损耗,有助于提升整体系统的能效。其快速的开关响应能力使其适用于高频开关电路,如DC-DC转换器、同步整流器等。
  该器件的封装设计优化了散热性能,TO-252(DPAK)封装不仅体积小巧,而且具备良好的热导出能力,适合在空间受限的应用中使用。同时,该封装也提供了良好的机械强度和电气绝缘性能,确保设备在复杂环境下的可靠性。

应用

T5650广泛应用于各类高功率电子系统中,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。例如,在计算机电源、服务器电源、通信设备电源、工业电机控制、电动车电池管理系统(BMS)以及太阳能逆变器中,T5650都能发挥出色的性能优势。
  在DC-DC转换器中,T5650作为主开关器件,能够有效降低导通损耗,提高转换效率,从而延长电池续航时间或降低系统发热量。在电机控制领域,T5650可用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机,提供稳定可靠的功率输出。
  此外,T5650也适用于负载开关、热插拔控制电路和电源管理模块,能够有效保护系统免受过流、过热和短路等故障的影响。其高耐压和大电流能力使其成为工业自动化设备和智能电网设备中的理想选择。

替代型号

SiHH100N03LT、FDMS86101、NTMFS4C10AN、T5651

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