时间：2025/5/21 17:45:38
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PL50N03是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压（V(BR)DSS）和快速开关速度的特点，适合高效能要求的应用环境。
这款MOSFET采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能和电气特性，同时其小型化设计也有助于节省电路板空间。
最大漏源电压：40V
最大连续漏电流：38A
导通电阻（典型值）：5mΩ
栅极电荷：27nC
总电容（输入电容）：1600pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
PL50N03的显著特点包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高效率。此外，其快速开关速度降低了开关损耗，使得该器件在高频应用中表现出色。
该MOSFET还具有较高的雪崩耐量能力，能够在恶劣的工作条件下提供更高的可靠性。同时，它的小型化封装形式使其适用于对空间有严格要求的设计。
另外，PL50N03支持较宽的工作温度范围，从-55℃到+150℃，确保了其在极端环境下的稳定性与可靠性。
PL50N03适用于多种电力电子应用，例如开关模式电源（SMPS）、降压或升压型DC-DC转换器、电池管理电路、电机驱动控制以及负载开关等场景。
由于其高电流承载能力和低导通电阻，它特别适合需要大功率输出的应用场合，如工业设备、汽车电子和通信电源等领域。
IRFZ44N
STP50NF06
FDP55N06L
