PL50N03是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(V(BR)DSS)和快速开关速度的特点,适合高效能要求的应用环境。
这款MOSFET采用TO-252(DPAK)封装形式,具备良好的散热性能和电气特性,同时其小型化设计也有助于节省电路板空间。
最大漏源电压:40V
最大连续漏电流:38A
导通电阻(典型值):5mΩ
栅极电荷:27nC
总电容(输入电容):1600pF
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-252(DPAK)
PL50N03的显著特点包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高效率。此外,其快速开关速度降低了开关损耗,使得该器件在高频应用中表现出色。
该MOSFET还具有较高的雪崩耐量能力,能够在恶劣的工作条件下提供更高的可靠性。同时,它的小型化封装形式使其适用于对空间有严格要求的设计。
另外,PL50N03支持较宽的工作温度范围,从-55℃到+150℃,确保了其在极端环境下的稳定性与可靠性。
PL50N03适用于多种电力电子应用,例如开关模式电源(SMPS)、降压或升压型DC-DC转换器、电池管理电路、电机驱动控制以及负载开关等场景。
由于其高电流承载能力和低导通电阻,它特别适合需要大功率输出的应用场合,如工业设备、汽车电子和通信电源等领域。
IRFZ44N
STP50NF06
FDP55N06L