T5630D 时间：2025/8/3 0:06:21 阅读：22

T5630D是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适合用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及各类高功率电子设备中。T5630D采用SOP（小外形封装）封装形式，具有良好的散热性能和可靠性，适用于高密度PCB布局设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：150W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.9mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）

特性

T5630D具有出色的电气性能和热稳定性。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率；高电流承载能力使其能够适应大功率应用需求。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在高压冲击下保持稳定运行。T5630D的封装设计优化了热管理和空间利用率，适用于紧凑型电路设计。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动电路设计，增强了应用的灵活性。
　　在可靠性方面，T5630D通过了严格的工业标准测试，具有较长的使用寿命和稳定的性能表现。适用于高频开关电源、电机驱动、LED照明电源、服务器电源、电池管理系统（BMS）等高要求的应用场景。