时间：2025/8/14 9:18:38
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MBR8100DC_R2_00001 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），专门设计用于高效率的电源转换应用。该器件具有低正向压降和快速开关特性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电池充电器等电路中。该型号的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适用于表面贴装。
最大重复峰值反向电压：100V
最大平均整流电流：8.0A
正向压降（@8A）：0.55V（典型值）
最大反向漏电流（@100V）：0.5mA（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
MBR8100DC_R2_00001 的主要特性包括低正向压降，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其快速恢复时间几乎可以忽略不计，适用于高频开关应用。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。此外，MBR8100DC_R2_00001 采用TO-252封装，具有优良的散热能力，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和维修。该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代绿色电子产品设计。
MBR8100DC_R2_00001 在高功率密度设计中表现出色，例如在服务器电源、电信设备电源、工业控制电源以及光伏逆变器等应用中。其高电流能力与低导通损耗相结合，使其成为高效率整流电路的理想选择。此外，由于其快速响应特性，该器件在防止反向电流流动方面也表现出色，适合用于电池保护电路和负载切换电路。
该器件的热性能也非常出色，TO-252封装提供了良好的热传导路径，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。其高浪涌电流承受能力使其能够在电源启动或其他瞬态条件下保持可靠运行。
MBR8100DC_R2_00001 主要应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电池充电器、服务器电源、通信设备电源、工业控制系统、光伏逆变器以及高效率整流电路等。由于其低正向压降和高电流能力，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。
MBR8100CT、SB8100、MBR8H100FG、MBR8H100
