晶体管类型：双NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于工作电流）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92或SMD等

T5550N晶体管阵列具有多项显著的性能优势。首先，其两个NPN晶体管在设计上具有高度匹配性，这使其在需要对称性能的电路（如差分放大器）中表现出色。其次，每个晶体管均具备高达100V的集电极-发射极击穿电压，使其能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源和信号处理应用。
　　此外，T5550N的电流增益范围宽广（hFE为110至800），可以根据不同的工作电流提供良好的放大性能，适应从低信号放大到中等功率开关应用的广泛需求。该器件的过渡频率（fT）为250MHz，表明其在高频条件下仍能保持较高的增益性能，适合用作射频（RF）或高速数字电路中的开关或放大元件。
　　T5550N采用了紧凑的封装设计，如TO-92或SMD，适用于空间受限的电路板布局，并有助于提高整体系统的集成度。其工作温度范围为-55°C至+150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行，适合工业和汽车应用的严苛要求。
　　该器件的低功耗特性（最大功耗为300mW）也有助于降低系统的整体能耗，提高能效。同时，T5550N的高可靠性使其成为长期运行设备的理想选择，减少了维护和更换的频率。

T5550N晶体管阵列广泛应用于多个电子领域。在消费电子产品中，它常用于音频放大器、逻辑电平转换和低功率开关电路。在工业控制系统中，T5550N可用于传感器信号放大、继电器驱动和电机控制等应用，其高增益和快速响应特性可提升系统性能和稳定性。
　　在汽车电子领域，T5550N可用于车载信息娱乐系统、照明控制模块和电源管理系统，其宽工作温度范围和高可靠性确保其在复杂车载环境中的稳定运行。此外，该器件也适用于通信设备中的信号处理和放大电路，如无线基站、调制解调器和网络交换设备。
　　在电源管理方面，T5550N可用于DC-DC转换器、负载开关和稳压电路中的控制元件，其高频特性有助于提高转换效率。同时，由于其封装形式紧凑，T5550N也被广泛用于便携式设备和嵌入式系统中。

BC547B、BC547C、2N3904、MPS2222、PN2222