类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：最大 55A
　　漏极-源极电压（Vds）：最大 60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.022Ω（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：最大 180W

T5535S 具备一系列高性能特性，使其在功率电子设计中具有广泛的适用性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性显著降低了在高电流应用中的导通损耗，从而提高了整体系统效率。其次，该器件的漏极电流能力高达 55A，能够满足大功率负载的需求。此外，T5535S 的漏极-源极电压（Vds）额定值为 60V，使其适用于中等电压级别的电源转换应用，例如 48V 系统。栅极-源极电压的最大值为 ±20V，允许在较宽的驱动电压范围内工作，增强了设计的灵活性。
　　该 MOSFET 的热性能优异，TO-220 封装具有良好的散热能力，有助于在高功率密度设计中维持稳定的运行温度。同时，其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，使其能够在极端环境条件下可靠运行。T5535S 还具备良好的抗雪崩能力，增强了在高能瞬态条件下的鲁棒性。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。

T5535S 主要应用于需要高效率和高电流能力的电源管理系统。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和高电流能力可显著提高转换效率，减少热量产生。在电机驱动应用中，T5535S 可用于 H 桥电路，提供快速开关和高负载能力，确保电机运行平稳且高效。此外，该 MOSFET 也可用于电池管理系统，如电动工具、电动自行车和储能系统的充放电控制电路中。在工业自动化设备中，T5535S 可作为负载开关或继电器替代方案，提供更高的可靠性和更长的使用寿命。消费类电子产品如笔记本电脑电源适配器、游戏机电源模块等也会采用该器件以实现更高的功率密度和能效。

IRFZ44N, STP55NF06, FDP55N06