类型: NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）: 100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）: 30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）: 30V
　　最大功耗（Pd）: 300mW
　　增益带宽积（fT）: 100 MHz
　　电流增益（hFE）: 110-800（取决于工作电流）
　　封装类型: TO-92
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C

T536晶体管具备良好的高频性能，适用于中频和射频放大器应用。其高电流增益使其能够在低噪声放大器和前置放大器中表现出色。此外，T536的TO-92封装形式便于手工焊接和安装，适合于小功率电子设备的设计。该晶体管的工作稳定性较好，可以在较宽的温度范围内保持性能稳定。由于其增益带宽积达到100MHz，T536也常用于高频开关电路和脉冲放大器设计中。
　　在实际应用中，T536的电流增益会随着工作电流的变化而变化，在低电流（例如0.1mA）下hFE约为110，在10mA电流下可达800。这种特性使其适用于多级放大器设计，能够灵活适应不同的放大需求。此外，T536的耐压性能良好，Vce和Vcb的最大额定值均为30V，适合用于中等电压的电源控制和信号放大电路中。

T536晶体管广泛应用于音频放大器、射频信号放大器、低噪声前置放大器、开关电路以及工业控制电路。由于其高频响应良好，该器件在无线电接收器、小型无线通信设备和传感器信号调理电路中也较为常见。T536还可用于数字逻辑电路中的开关元件，适用于低功耗设计。此外，它在消费类电子产品如收音机、小型音频放大器和LED驱动电路中也有广泛应用。
　　在实际电路设计中，T536可以作为共射放大器使用，实现较高的电压增益；也可以作为射极跟随器，用于阻抗匹配或驱动负载。由于其封装小巧，适合用于空间有限的便携式电子设备中。

2N3904, BC547, 2SC1815