类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　功率耗散（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　频率特性：适用于高频应用，fT（过渡频率）高达 100 MHz
　　电流增益（hFE）：在 IC=2 mA 时，典型值为 110 至 800（根据等级不同）
　　封装类型：TO-226（TO-92 直插）

T5230P/D 晶体管具备多项优异特性，使其在多种高频和低功率放大电路中表现出色。首先，其高过渡频率（fT）可达 100 MHz，使得该器件非常适合用于中高频放大器、振荡器和调制电路。此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围宽广，根据不同等级可在 110 至 800 之间选择，这为设计人员提供了更大的灵活性，以满足不同的放大需求。
　　在电气性能方面，T5230P/D 的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，有助于减少功耗并提高效率。其最大集电极电流为 100 mA，功率耗散为 300 mW，适合低功耗应用。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于各种环境条件下的电子设备。
　　封装方面，T5230P/D 采用 TO-226（TO-92）直插式封装，体积小巧，便于 PCB 布局和安装。该封装具有良好的散热性能，同时兼容自动和手动焊接工艺，适用于批量生产和维修更换。

T5230P/D 晶体管主要应用于射频和中频放大器、前置放大器、信号放大电路、振荡器、调制器、混频器以及各类消费电子产品中的模拟信号处理电路。由于其高频率响应和良好的增益特性，该器件常用于收音机、电视机、无线通信模块、音频放大设备以及传感器信号调理电路中。
　　此外，T5230P/D 也可用于低噪声放大（LNA）电路中，适用于无线接收前端的信号增强。其低饱和电压和良好热稳定性使其在电池供电设备中表现出色，如便携式音频设备、遥控器、玩具电子控制电路等。
　　在工业和汽车电子领域，该晶体管也可用于各类传感器信号放大、电机驱动控制、电源开关电路以及仪表放大器中，提供稳定可靠的放大性能。

BC547, 2N3904, PN2222A, KSP2222, MMBT3904