时间：2025/8/14 16:48:58
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LDTC114YET1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于低电压和低电流开关应用。该器件采用 SOT-23 封装，具有良好的热稳定性和快速开关特性，适用于各种便携式设备、电源管理、负载开关和逻辑驱动电路。LDTC114YET1G 的设计使其能够在低栅极驱动电压下工作，非常适合电池供电系统和低功耗应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：100mA
导通电阻（Rds(on)）：典型值 3.5Ω @ Vgs = 4.5V
栅极电荷（Qg）：1.5nC
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 150°C
最大功耗（Pd）：300mW
LDTC114YET1G 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷，能够实现快速开关操作并减少开关损耗。该器件的低 Vgs(th)（栅极阈值电压）通常在 1V 至 2.5V 之间，使其能够在较低的控制电压下运行，非常适合 3.3V 或 5V 逻辑控制的应用。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和过温保护能力，可在高温环境下稳定工作。
该器件的 SOT-23 小型封装结构使其非常适合空间受限的设计，如移动电话、平板电脑、传感器模块和便携式医疗设备。LDTC114YET1G 还具有良好的抗静电能力（ESD）和高可靠性，符合 RoHS 标准，适用于无铅生产工艺。
在实际应用中，LDTC114YET1G 可用于驱动小型负载，如 LED、继电器、小型风扇和低功率传感器。其低功耗特性和快速响应能力，使其成为理想的负载开关或逻辑电平转换器。
LDTC114YET1G 广泛应用于低功耗便携式电子设备、电池管理系统、逻辑控制电路、小型电机驱动、LED 驱动、继电器控制以及各类低电压负载开关电路。常见应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、工业传感器、智能家电和低功耗 IoT 设备。
2N7002、FDV301N、DMG3415U、2N3904
