T5130N 是一款广泛应用于工业控制和电力电子领域的功率晶体管。它是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流的开关应用。T5130N以其高效的开关特性和良好的热稳定性而闻名,广泛用于电源供应、电机控制、逆变器和各种工业设备中。该器件采用了先进的硅工艺技术,确保了其在高温和高负载条件下的可靠运行。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A(在25°C)
最大功耗(Ptot):200W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
导通电阻(Rds(on)):0.35Ω(最大值)
栅极电荷(Qg):70nC
漏极电容(Coss):1000pF
T5130N 的特性使其成为高性能开关应用的理想选择。首先,它具有高耐压能力,漏源电压可达到600V,适合用于高电压环境下的开关控制。其次,该器件的最大连续漏极电流为15A,能够在较大的电流负载下稳定工作,适用于需要高功率输出的应用场景。
此外,T5130N的导通电阻较低,最大值为0.35Ω,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。同时,其高栅极电荷(70nC)和漏极电容(1000pF)特性使得在高频开关应用中能够保持稳定的性能,降低开关损耗。
该器件的封装形式为TO-247,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。其最大功耗为200W,且工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,确保了在各种工业环境下的可靠性和耐用性。
T5130N的设计还考虑到了热管理和长期可靠性,能够在高负载和高温条件下保持稳定的性能。这种MOSFET适用于各种电源转换和控制应用,如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器、电机驱动和逆变器系统等。
T5130N广泛应用于多个领域,特别是在需要高电压和高电流处理能力的工业设备中。例如,在电源供应器中,T5130N被用作主开关元件,能够高效地将输入的交流或直流电源转换为所需的输出电压和电流。在电机控制系统中,它用于驱动直流电机或无刷电机,实现精确的速度和扭矩控制。
此外,该器件也常用于逆变器设计,特别是在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,T5130N可以有效地将直流电源转换为交流电源,为负载提供稳定的电力供应。在工业自动化设备中,T5130N常用于控制大功率负载,如加热元件、电磁阀和继电器等。
由于其高可靠性和良好的热性能,T5130N也常用于汽车电子系统,如电动车的电池管理系统、车载充电器和DC-DC转换器等应用。在这些应用中,T5130N不仅能够提供高效能的开关操作,还能在严苛的环境条件下保持稳定的工作状态。
IRF840、FDPF840、STP15N60