时间：2024/3/26 16:27:59
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IR21271STRPBF是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V。保护电路检测驱动电源晶体管中的过流并终止栅极驱动电压。漏极断开FAULT信号表示已发生过电流关闭。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600伏。
IR21271STRPBF是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V。保护电路检测驱动电源晶体管中的过流并终止栅极驱动电压。漏极断开FAULT信号表示已发生过电流关闭。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600伏。
浮动通道设计用于引导操作
完全运行到+600V
对瞬态负电压dV/dt免疫
专用栅极驱动范围:
电机驱动:12至20V (IR2127/IR2128)
汽车:9至20V (IR21271)
欠压锁定
3.3V, 5V和15V输入逻辑兼容
FAULT lead表示已经发生停机
输出与输入同步(IR2127/IR21271)
输出与输入不同步(IR2128)
无铅
品牌：Infineon(英飞凌）
封装：SOIC-8
包装：圆盘
电压-供电：9V~20V
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
基本产品编号：IR21271
HTSUS：8542.39.0001
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N沟道MOSFET
逻辑电压-VIL，VIH：0.8V，3V
电流-峰值输出（灌入，拉出）：250mA，500mA
输入类型：非反相
上升/下降时间（典型值）：80ns，40ns
高压侧电压-最大值（自举）：600V
产品应用：汽车级
湿气敏感性等级(MSL)：2（1年）
REACH状态：非REACH产品
ECCN：EAR99
IR21271STRPBF原理图
IR21271STRPBF引脚图
IR21271STRPBF封装
