类型：MOSFET驱动器
　　封装类型：DIP-8 / SOP-8
　　工作电压范围：10V 至 20V
　　输出电流（峰值）：±1.5A
　　传播延迟时间：约100ns
　　输入信号兼容性：3.3V / 5V / 15V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　驱动能力：适用于N沟道和P沟道MOSFET
　　内置死区时间控制：支持

T5130D MOSFET驱动器具备多项优异特性，使其在电机控制和功率转换应用中表现出色。
　　首先，该芯片采用了高侧浮动电源供电技术，能够有效地驱动高侧N沟道MOSFET，显著提升系统的效率和稳定性。其输出驱动电流可达±1.5A，足以快速驱动大功率MOSFET，从而减少开关损耗，提高响应速度。
　　其次，T5130D具有较宽的工作电压范围（10V至20V），增强了其在不同应用环境下的适应能力。输入信号兼容多种逻辑电平（包括3.3V、5V和15V），便于与各类控制器（如MCU或DSP）连接。
　　此外，该驱动器内置死区时间控制功能，有助于防止上下桥臂MOSFET同时导通造成的直通电流，从而提高系统的安全性和可靠性。同时，其短路和过热保护机制也增强了系统的稳定性。
　　在封装方面，T5130D提供DIP-8和SOP-8两种封装形式，方便用户根据实际PCB布局进行选择，适用于多种应用场景。

T5130D主要应用于需要高效MOSFET驱动的电力电子系统中，例如：
　　? 无刷直流电机（BLDC）控制器
　　? 电源逆变器（如UPS、太阳能逆变器）
　　? DC-DC转换器和DC-AC逆变器
　　? 工业自动化设备和伺服驱动器
　　? 电动车电机控制器
　　? 家用电器中的电机驱动模块

T5130F, TC4420, IR2104, IRS2104, UCC27211